當前位置╃•☁·▩:首頁 > 技術文章 > 二次離子質譜儀的三種基礎型別介紹

二次離子質譜儀的三種基礎型別介紹

釋出時間╃•☁·▩:2022-05-29瀏覽╃•☁·▩:346次

二次離子質譜儀(SIMS)用高能電離轟擊樣品表面•╃☁▩,這導致樣品表面上的原子或原子團吸收能量並透過濺射產生二次粒子↟▩✘·。這些帶電粒子透過質量分析器後•╃☁▩,可以獲得有關樣品表面的資訊光譜↟▩✘·。
 
二次離子質譜儀的三種基礎型別介紹╃•☁·▩:
 
1. 飛行時間二次離子質譜儀(ToF-SIMS)
 
在此類質譜儀中•╃☁▩,二次離子被提取到無場漂移管•╃☁▩,二次離子沿既定飛行路徑到達離子檢測器↟▩✘·。由於給定離子的速度與其質量成反比•╃☁▩,因此它的飛行時間會相應不同•╃☁▩,較重的離子到達檢測器的時間會比較輕的離子更晚↟▩✘·。此類質譜儀可同時檢測所有給定極性的二次離子•╃☁▩,並具有良好的質量解析度↟▩✘·。
此外•╃☁▩,由於此類質譜儀的設計利用了在極低電流(pA範圍)中執行的脈衝離子束•╃☁▩,所以此類質譜儀有助於分析表面↟₪·▩₪、絕緣體和軟材料等易受離子影響而導致化學損傷的物質↟▩✘·。
 
2. 扇形磁場二次離子質譜儀器
 
扇形磁場二次離子質譜儀器通常使用靜電和扇形磁場分析器來進行濺射二次離子的速度和質量分析↟▩✘·。扇形磁場使離子束偏轉•╃☁▩,較輕的離子會比較重的離子偏轉更多•╃☁▩,而較重的離子則具有更大動量↟▩✘·。因此•╃☁▩,不同質量的離子會分離成不同的光束↟▩✘·。靜電場也應用於二次光束中•╃☁▩,以消除色差↟▩✘·。由於這些儀器具有更高的工作電流和持續光束•╃☁▩,因此它們十分有助於深度剖析↟▩✘·。但是•╃☁▩,這些儀器用於表面分析和表徵易產生電荷(charge)和/或損傷的樣品時•╃☁▩,難以發揮理想的效果↟▩✘·。
 
3. 四級杆二次離子質譜儀器
 
由於這些儀器的質量解析度相對有限(單位質量解析度不能解決每超過一個峰值的質量)•╃☁▩,因此這些儀器越來越稀有↟▩✘·。四級杆利用一個共振電場•╃☁▩,其中只有特定質量的離子才能穩定透過震盪場↟▩✘·。與扇形磁場儀器相類似的是•╃☁▩,這些儀器需要在高一次離子電流下操作•╃☁▩,且通常被認為是“動態二次離子質譜”儀器(比如用於濺射深度剖析和/或固體樣品的總量分析)↟▩✘·。

Contact Us
  • 聯絡QQ╃•☁·▩:52436437
  • 聯絡郵箱╃•☁·▩:info@extratech.com.cn
  • 聯絡電話╃•☁·▩:010 5272 2415
  • 聯絡地址╃•☁·▩:北京市海淀區四季青路8號酈城工作區235

掃一掃  微信諮詢

© 2022 北京英格海德分析技術有限公司 版權所有  備案號╃•☁·▩:京ICP備05008133號-4  技術支援╃•☁·▩:化工儀器網    管理登陸    sitemap.xml

服務熱線
13501238067

微信掃一掃

偷看农村妇女牲交,女子自慰喷潮a片免费观看,影音先锋男人看片av资源网在线,韩国成熟妇人a片好爽在线看