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二次離子質譜儀原理的基本特徵介紹

釋出時間▩•·▩:2022-07-19瀏覽▩•·▩:46次

   二次離子質譜儀是利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子的質譜儀◕·。主要包括一次離子源✘₪✘✘、進樣室✘₪✘✘、質量分析儀✘₪✘✘、真空系統✘₪✘✘、資料處理系統等部分│↟,絕緣樣品還配有電荷補償電子中和槍│↟,根據分析目的不同│↟,還有不同的離子源│↟,如氣體放源(O,Ar,Xe)│↟,表面電離源(如Cs)│↟,熱隙源如C60│↟,以及液態金屬和團簇源(Bin,Aun,Ga)等◕·。二次離子質譜儀原理的基本特徵如下▩•·▩:

 
  1.它的資訊深度很小(比1nm還小);能夠對材料的Z外層(原子層)的結構進行分析◕·。
 
  2.空間解析度非常的高和樣品表面結構(小於50nm)比較清晰◕·。
 
  3.能夠檢測質量的範圍包括原子量單位低於12,000的所有材料│↟,包括H和He等元素◕·。
 
  4.分子離子峰和官能團碎片峰能夠同時給出;能夠對化合物和有機大分子的整體結構方便地進行分析◕·。
 
  5.雙束離子源可用於深度解析度小於1nm的樣品◕·。
 
  6.使樣品Z表層的1-3個原子的資訊深度獲得;
 
  7.能夠檢測同位素進行同位素分析;
 
  8.達到PPM-PPB水平的檢測極限◕·。
 
  9.能夠對所有元素和化合物同時檢測│↟,離子轉移率能夠達到100%◕·。
 
  10.使用GX的電子中和槍能夠對絕緣材料進行準確分析◕·。

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