Hiden TOF-qSIMS飛行時間二次離子質譜工作站設計用於多種材料的表面分析和深度剖析應用↟◕，包括聚合物↟◕，藥物↟◕，超導體↟◕，半導體↟◕，合金↟◕，光學和功能塗層以及電介質↟◕，檢測限低於1ppm✘·。

離子分析質譜儀/飛行時間二次離子質譜儀可分析來自固體樣品的二次陰₪◕◕、陽離子和中性粒子✘·。採用技術的SIMS 探針↟◕，便於連結到現有的UHV表面科學研究反應室✘·。

二次離子質譜儀適合做多層薄膜的深度分析,可以做元素成像和混合模式掃描↟◕，自動測量正₪◕◕、負和中性粒子✘·。

MAXIM 二次離子濺射中性粒子質譜儀可分析二次陰₪◕◕、陽離子動態和中性粒子↟◕，所具備的的30°接受角可形成樣品粒子平面↟◕，應用於SIMS和SNMS的光學取樣✘·。 ·光柵控制↟◕，增強深度分析能力 ·所有能量範圍內↟◕，離子行程的小擾動↟◕，及恆定離子傳輸 ·靈敏度高 / 穩定的脈衝離子計數檢測器