飛行時間二次離子質譜儀

Hiden TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜工作站設計用於多種材料的表面分析和深度剖析應用✘↟·↟☁，包括聚合物✘↟·↟☁，藥物✘↟·↟☁，超導體✘↟·↟☁，半導體✘↟·↟☁，合金✘↟·↟☁，光學和功能塗層以及電介質✘↟·↟☁，檢測限低於1ppm↟│₪│◕。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極杆質譜和飛行時間質譜↟│₪│◕。

四極杆qSIMS主要用於摻雜物深度剖析和薄層分析✘↟·↟☁，低入射能力✘↟·↟☁，高入射電流✘↟·↟☁，濺射和分析連續進行✘↟·↟☁，是典型的Dynamic SIMS 動態SIMS↟│₪│◕。

飛行時間二次離子質譜TOF-SIMS使用飛行時間質譜✘↟·↟☁，質量數範圍寬✘↟·↟☁，質量解析度高✘↟·↟☁，且測量速度快（瞬間得到全譜）↟│₪│◕。離子槍僅需要一次脈衝濺射✘↟·↟☁，即可得到全譜✘↟·↟☁，對錶面幾乎無破壞作用↟│₪│◕。因脈衝模式分析✘↟·↟☁，且電流小✘↟·↟☁，所以產生的二次離子比率相對少✘↟·↟☁，靈敏度相比動態SIMS弱✘↟·↟☁，但成像和表面分析能力強✘↟·↟☁，是典型的Stactic SIMS 靜態SIMS↟│₪│◕。

TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優點✘↟·↟☁，可以分析所有的導體☁╃•▩↟、半導體☁╃•▩↟、絕緣材料；對矽☁╃•▩↟、高k☁╃•▩↟、矽鍺以及III-V族化合物等複合材料的薄層提供超淺深度剖析☁╃•▩↟、痕量元素和組分測量等一系列擴充套件功能↟│₪│◕。對於材料/產品表面成分及分佈✘↟·↟☁，表面新增組分☁╃•▩↟、雜質組分☁╃•▩↟、表面多層結構/鍍膜成分☁╃•▩↟、表面異物殘留（汙染物☁╃•▩↟、顆粒物☁╃•▩↟、腐蝕物等）☁╃•▩↟、表面痕量摻雜☁╃•▩↟、表面改性☁╃•▩↟、表面缺陷（劃痕☁╃•▩↟、凸起）等有很好的表徵能力↟│₪│◕。

一臺SIMS同時提供四極杆質譜和飛行時間質譜

靜態SIMS  Static SIMS

動態SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低於ppm

SNMS 離子源✘↟·↟☁，二次中性粒子譜

二次離子質譜成像軟體✘↟·↟☁，靜態二次離子質譜相簿✘↟·↟☁，二次離子質譜後處理軟體

 技術引數╃·₪：
質量數範圍╃·₪：300✘↟·↟☁，510或1000amu
解析度╃·₪：5%的谷✘↟·↟☁，兩個相連的等高峰↟│₪│◕。
檢測器╃·₪：離子計數檢測器✘↟·↟☁，正☁╃•▩↟、負離子檢測
檢測限╃·₪：1:10E7
質量過濾器╃·₪：三級過濾四極杆（9mm杆）
主離子槍╃·₪： A✘↟·↟☁，氧離子或其它氣體✘↟·↟☁，能量到5KeV
          B✘↟·↟☁，Ga離子槍✘↟·↟☁，能量25KeV（選配）
空間解析度╃·₪：A╃·₪：100～150um
           B: 50nm
取樣深度╃·₪：2個單分子層（靜態）
         不受限制（動態）


主要特點╃·₪：
1☁╃•▩↟、高靈敏度脈衝離子計數檢測器✘↟·↟☁，7個數量級的動態範圍
2☁╃•▩↟、SIMS 成像✘↟·↟☁，解析度在微米以下
3☁╃•▩↟、光柵控制✘↟·↟☁，增強深度分析能力
4☁╃•▩↟、所有能量範圍內✘↟·↟☁，離子行程的最小擾動✘↟·↟☁，及恆定離子傳輸
5☁╃•▩↟、差式泵3級過濾四極杆✘↟·↟☁，質量數範圍至1000amu
6☁╃•▩↟、靈敏度高 / 穩定的脈衝離子計數檢測器
7☁╃•▩↟、Penning規和互鎖裝置可提供過壓保護
8☁╃•▩↟、透過RS232☁╃•▩↟、RS485或Ethernet LAN✘↟·↟☁，軟體 MASsoft控制